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JANTXV2N5013

JANTXV2N5013

僅供參考

型號 JANTXV2N5013
PNEDA編號 JANTXV2N5013
描述 NPN TRANSISTOR
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 8,622
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 22 - 五月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JANTXV2N5013資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JANTXV2N5013
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JANTXV2N5013規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/727
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)200mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)800V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)10nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 20mA, 10V
功率-最大1W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
供應商設備包裝TO-5

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PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

350V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 2mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

250nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 10mA, 10V

功率-最大

-

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

-

安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 1A, 2V

功率-最大

25W

頻率-過渡

3MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-225AA, TO-126-3

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系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

750mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 1V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

250MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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NPN - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10000 @ 100mA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

125MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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制造商

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系列

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晶體管類型

NPN - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 30mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

750 @ 1.5A, 3V

功率-最大

40W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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