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JANTX2N918UB

JANTX2N918UB

僅供參考

型號 JANTX2N918UB
PNEDA編號 JANTX2N918UB
描述 TRANS NPN 15V 0.05A
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 4,194
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 24 - 六月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JANTX2N918UB資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JANTX2N918UB
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JANTX2N918UB規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/301
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)15V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic400mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce20 @ 3mA, 1V
功率-最大200mW
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱4-SMD, No Lead
供應商設備包裝UB

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NPN - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 200mA, 20A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

750 @ 10A, 3V

功率-最大

160W

頻率-過渡

4MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 100mA, 1V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

110MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

32V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 100mA, 3V

功率-最大

2W

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

10A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 100µA, 10A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 5A, 3V

功率-最大

5W

頻率-過渡

-

工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 50mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

750 @ 3A, 3V

功率-最大

2W

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工作溫度

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