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JAN2N4399

JAN2N4399

僅供參考

型號 JAN2N4399
PNEDA編號 JAN2N4399
描述 TRANS PNP 60V 30A TO-3
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,444
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 8 - 七月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JAN2N4399資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JAN2N4399
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JAN2N4399規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/433
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)30A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic750mV @ 1A, 10A
當前-集電極截止(最大值)100µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce15 @ 15A, 2V
功率-最大5W
頻率-過渡-
工作溫度-55°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-204AA, TO-3
供應商設備包裝TO-3 (TO-204AA)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 30mA, 300mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 50mA, 1V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

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工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 200mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

270 @ 10mA, 2V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

260MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

4.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

270mV @ 125mA, 4.5A

當前-集電極截止(最大值)

25nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2A, 2V

功率-最大

3W

頻率-過渡

140MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

63 @ 150mA, 2V

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