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2SD1858TV2R

2SD1858TV2R

僅供參考

型號 2SD1858TV2R
PNEDA編號 2SD1858TV2R
描述 TRANS NPN 32V 1A ATV
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,172
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 22 - 五月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SD1858TV2R資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SD1858TV2R
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
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2SD1858TV2R規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)32V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic400mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)500nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce180 @ 100mA, 3V
功率-最大1W
頻率-過渡150MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱3-SIP
供應商設備包裝ATV

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30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 100µA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20000 @ 100mA, 5V

功率-最大

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頻率-過渡

200MHz

工作溫度

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1.5V @ 500µA, 500mA

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 30mA, 300mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 150mA, 10V

功率-最大

150mW

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 100mA, 2V

功率-最大

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工作溫度

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-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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