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JAN2N4235

JAN2N4235

僅供參考

型號 JAN2N4235
PNEDA編號 JAN2N4235
描述 NPN TRANSISTOR
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,210
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 7 - 六月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JAN2N4235資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JAN2N4235
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JAN2N4235規格

制造商Microsemi Corporation
系列*
晶體管類型-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 2mA, 20mA

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 125mA, 2.5A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1A, 1V

功率-最大

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頻率-過渡

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 15mA, 150mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 5mA, 100mA

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