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MJD45H11-001

MJD45H11-001

僅供參考

型號 MJD45H11-001
PNEDA編號 MJD45H11-001
描述 TRANS PNP 80V 8A IPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,390
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 25 - 七月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MJD45H11-001資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MJD45H11-001
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
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MJD45H11-001規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)8A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)80V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1V @ 400mA, 8A
當前-集電極截止(最大值)1μA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce40 @ 4A, 1V
功率-最大1.75W
頻率-過渡90MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
供應商設備包裝I-PAK

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

63 @ 150mA, 2V

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當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

750mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 1V

功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

550mV @ 1.25mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

20nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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功率-最大

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