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JAN2N3420S

JAN2N3420S

僅供參考

型號 JAN2N3420S
PNEDA編號 JAN2N3420S
描述 TRANS NPN 60V 3A
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 8,334
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 6 - 五月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JAN2N3420S資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JAN2N3420S
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JAN2N3420S規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/393
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 200mA, 2A
當前-集電極截止(最大值)5µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce40 @ 1A, 2V
功率-最大1W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝TO-39

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 400mA, 8A

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 4A, 1V

功率-最大

2W

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

240mV @ 300mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 500mA, 10V

功率-最大

3W

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

150V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 10mA, 5V

功率-最大

400mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

Military, MIL-PRF-19500/301

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 3mA, 1V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 1V

功率-最大

300mW

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工作溫度

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