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J112,126

J112,126

僅供參考

型號 J112,126
PNEDA編號 J112-126
描述 JFET N-CH 40V 400MW TO92-3
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 8,622
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 7 - 五月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

J112資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號J112,126
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
J112, J112數據表 (總頁數: 6, 大小: 31.88 KB)
PDFJ112數據表 封面
J112數據表 頁面 2 J112數據表 頁面 3 J112數據表 頁面 4 J112數據表 頁面 5 J112數據表 頁面 6

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J112規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)40V
漏極至源極電壓(Vdss)40V
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)5mA @ 15V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID1V @ 1µA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds6pF @ 10V (VGS)
電阻-RDS(On)50 Ohms
功率-最大400mW
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92-3

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

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電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

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電流消耗(Id)-最大

-

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

140µA @ 2V

電流消耗(Id)-最大

1mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

100mV @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3.1pF @ 2V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

30mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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ON Semiconductor

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FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

25V

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

1mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

500mV @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7pF @ 15V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

225mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

30V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

7mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

3V @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

125 Ohms

功率-最大

350mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

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