J112數據表
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制造商 NXP USA Inc. 系列 - FET類型 N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS） 40V 漏極至源極電壓（Vdss） 40V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0） 5mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大 - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID 1V @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 6pF @ 10V (VGS) 電阻-RDS（On） 50 Ohms 功率-最大 400mW 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝 TO-92-3 |
制造商 NXP USA Inc. 系列 - FET類型 N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS） 40V 漏極至源極電壓（Vdss） 40V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0） 2mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大 - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID 500mV @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 6pF @ 10V (VGS) 電阻-RDS（On） 100 Ohms 功率-最大 400mW 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝 TO-92-3 |
制造商 NXP USA Inc. 系列 - FET類型 N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS） 40V 漏極至源極電壓（Vdss） 40V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0） 20mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大 - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID 10V @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 6pF @ 10V (VGS) 電阻-RDS（On） 30 Ohms 功率-最大 400mW 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝 TO-92-3 |
