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IXGH12N90C

IXGH12N90C

僅供參考

型號 IXGH12N90C
PNEDA編號 IXGH12N90C
描述 IGBT 900V 24A 100W TO247AD
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 6,228
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 21 - 七月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXGH12N90C資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXGH12N90C
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IXGH12N90C, IXGH12N90C數據表 (總頁數: 4, 大小: 143.29 KB)
PDFIXGX12N90C數據表 封面
IXGX12N90C數據表 頁面 2 IXGX12N90C數據表 頁面 3 IXGX12N90C數據表 頁面 4

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IXGH12N90C規格

制造商IXYS
系列HiPerFAST™, Lightspeed™
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)900V
當前-集電極(Ic)(最大值)24A
電流-集電極脈沖(Icm)48A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3V @ 15V, 12A
功率-最大100W
開關能量320µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用33nC
25°C時的Td(開/關)20ns/135ns
測試條件720V, 12A, 22Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247AD (IXGH)

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IXYS

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HiPerFAST™, Lightspeed™

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-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

24A

電流-集電極脈沖(Icm)

48A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 12A

功率-最大

100W

開關能量

90µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

32nC

25°C時的Td(開/關)

20ns/60ns

測試條件

480V, 12A, 18Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

35ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

TO-263 (IXGA)

IKW40N65H5AXKSA1

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™

IGBT類型

Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

74A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 40A

功率-最大

250W

開關能量

380µJ (on), 120µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

92nC

25°C時的Td(開/關)

20ns/153ns

測試條件

400V, 20A, 15Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

75ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

PG-TO247-3

IRGR2B60KDTRPBF

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

NPT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

6.3A

電流-集電極脈沖(Icm)

8A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.25V @ 15V, 2A

功率-最大

35W

開關能量

74µJ (on), 39µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

12nC

25°C時的Td(開/關)

11ns/150ns

測試條件

400V, 2A, 100Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

68ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供應商設備包裝

D-Pak

APT44GA60BD30

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

POWER MOS 8™

IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

78A

電流-集電極脈沖(Icm)

130A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 26A

功率-最大

337W

開關能量

409µJ (on), 258µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

128nC

25°C時的Td(開/關)

16ns/84ns

測試條件

400V, 26A, 4.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247 [B]

AIHD03N60RFATMA1

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電流-集電極脈沖(Icm)

7.5A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 2.5A

功率-最大

53.6W

開關能量

50µJ (on), 40µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

17.1nC

25°C時的Td(開/關)

10ns/128ns

測試條件

400V, 2.5A, 68Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供應商設備包裝

PG-TO252-3-313

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