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IXFJ80N20Q

IXFJ80N20Q

僅供參考

型號 IXFJ80N20Q
PNEDA編號 IXFJ80N20Q
描述 MOSFET N-CH TO-220
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 2,898
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 19 - 五月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFJ80N20Q資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFJ80N20Q
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IXFJ80N20Q規格

制造商IXYS
系列*
FET類型-
技術-
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-
安裝類型-
供應商設備包裝-
包裝/箱-

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80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

8V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1825pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

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安裝類型

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Ta), 95A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.2mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3660pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.8W (Ta), 62.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

600mOhm @ 2.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 200µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

440pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

63W (Tc)

工作溫度

-

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FET類型

-

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

380mOhm @ 5.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 250µA

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