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ISL6613BEIBZ-T

ISL6613BEIBZ-T

僅供參考

型號 ISL6613BEIBZ-T
PNEDA編號 ISL6613BEIBZ-T
描述 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC
制造商 Renesas Electronics America Inc.
單價 請求報價
庫存 4,122
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 12 - 五月 17 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ISL6613BEIBZ-T資源

品牌 Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ISL6613BEIBZ-T
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
ISL6613BEIBZ-T, ISL6613BEIBZ-T數據表 (總頁數: 12, 大小: 679.4 KB)
PDFISL6613BIRZ-T數據表 封面
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ISL6613BEIBZ-T規格

制造商Renesas Electronics America Inc.
系列-
驅動配置Half-Bridge
頻道類型Synchronous
驅動程序數量2
門類型N-Channel MOSFET
電壓-供電7V ~ 13.2V
邏輯電壓-VIL,VIH-
電流-峰值輸出(源極,接收器)1.25A, 2A
輸入類型Non-Inverting
高壓側-最大(自舉)36V
上升/下降時間(典型值)26ns, 18ns
工作溫度-40°C ~ 125°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
供應商設備包裝8-SOIC-EP

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驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Synchronous

驅動程序數量

2

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N-Channel, P-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 13.2V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.7V, 3.4V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

-

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

35V

上升/下降時間(典型值)

16ns, 11ns

工作溫度

0°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-VFDFN Exposed Pad

供應商設備包裝

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Renesas Electronics America Inc.

制造商

Renesas Electronics America Inc.

系列

-

驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

8V ~ 14V

邏輯電壓-VIL,VIH

3.7V, 7.93V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

2A, 2A

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

114V

上升/下降時間(典型值)

10ns, 10ns

工作溫度

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驅動配置

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頻道類型

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驅動程序數量

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門類型

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 35V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 3V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

9A, 9A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

22ns, 15ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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系列

-

驅動配置

Low-Side

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

3.5V ~ 14V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

3A, 5A

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

14ns, 12ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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頻道類型

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14V ~ 16V

邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

30A, 30A

輸入類型

-

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

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工作溫度

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安裝類型

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