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IS43LD16128B-18BLI

IS43LD16128B-18BLI

僅供參考

型號 IS43LD16128B-18BLI
PNEDA編號 IS43LD16128B-18BLI
描述 IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 7,110
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 19 - 五月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS43LD16128B-18BLI資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS43LD16128B-18BLI
類別半導體內存IC內存
數據表
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IS43LD16128B-18BLI規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
內存大小2Gb (128M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率533MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間-
電壓-供電1.14V ~ 1.95V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱134-TFBGA
供應商設備包裝134-TFBGA (10x11.5)

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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時鐘頻率

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

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訪問時間

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電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

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內存接口

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時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

550ns

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

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