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IRGR3B60KD2PBF

IRGR3B60KD2PBF

僅供參考

型號 IRGR3B60KD2PBF
PNEDA編號 IRGR3B60KD2PBF
描述 IGBT 600V 7.8A 52W DPAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,706
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 21 - 七月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRGR3B60KD2PBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRGR3B60KD2PBF
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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IRGR3B60KD2PBF規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型NPT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)7.8A
電流-集電極脈沖(Icm)15.6A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.4V @ 15V, 3A
功率-最大52W
開關能量62µJ (on), 39µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用13nC
25°C時的Td(開/關)18ns/110ns
測試條件400V, 3A, 100Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)77ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝D-Pak

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當前-集電極(Ic)(最大值)

245A

電流-集電極脈沖(Icm)

300A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 100A

功率-最大

960W

開關能量

11mJ (on), 9.5mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

540nC

25°C時的Td(開/關)

50ns/615ns

測試條件

800V, 100A, 1Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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NGTB50N60SWG

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ON Semiconductor

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IGBT類型

Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 50A

功率-最大

-

開關能量

600µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

135nC

25°C時的Td(開/關)

70ns/144ns

測試條件

400V, 50A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

376ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247-3

制造商

IXYS

系列

-

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

-

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-264-3, TO-264AA

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制造商

IXYS

系列

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IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 20A

功率-最大

220W

開關能量

120µJ (on), 90µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

38nC

25°C時的Td(開/關)

17ns/42ns

測試條件

300V, 20A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 12A

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