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APT100GN120B2G

APT100GN120B2G

僅供參考

型號 APT100GN120B2G
PNEDA編號 APT100GN120B2G
描述 IGBT 1200V 245A 960W TMAX
制造商 Microsemi
單價
1 ---------- $107.3513
50 ---------- $102.3192
100 ---------- $97.2871
200 ---------- $92.2550
400 ---------- $88.0616
500 ---------- $83.8682
庫存 22
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 22 - 七月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT100GN120B2G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT100GN120B2G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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APT100GN120B2G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)245A
電流-集電極脈沖(Icm)300A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 100A
功率-最大960W
開關能量11mJ (on), 9.5mJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用540nC
25°C時的Td(開/關)50ns/615ns
測試條件800V, 100A, 1Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3 Variant
供應商設備包裝-

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600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

8.5A

電流-集電極脈沖(Icm)

34A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 5A

功率-最大

38W

開關能量

80µJ (on), 160µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

15nC

25°C時的Td(開/關)

19ns/116ns

測試條件

480V, 5A, 100Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 20A

功率-最大

180W

開關能量

2.85mJ (on), 6.47mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

50nC

25°C時的Td(開/關)

16ns/290ns

測試條件

960V, 20A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 24A

功率-最大

150W

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2mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

75nC

25°C時的Td(開/關)

100ns/450ns

測試條件

480V, 24A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

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當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

電流-集電極脈沖(Icm)

50A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 4.5V, 20A

功率-最大

125W

開關能量

-

輸入類型

Logic

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-/5µs

測試條件

300V, 9A, 1kOhm, 5V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

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30A

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