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IRG8CH15K10D

IRG8CH15K10D

僅供參考

型號 IRG8CH15K10D
PNEDA編號 IRG8CH15K10D
描述 IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,730
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 20 - 五月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRG8CH15K10D資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRG8CH15K10D
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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IRG8CH15K10D規格

制造商Infineon Technologies
系列*
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電流-集電極脈沖(Icm)-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic-
功率-最大-
開關能量-
輸入類型-
門禁費用-
25°C時的Td(開/關)-
測試條件-
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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80A

電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.7V @ 15V, 50A

功率-最大

282W

開關能量

740µJ (on), 180µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

230nC

25°C時的Td(開/關)

26ns/220ns

測試條件

400V, 25A, 8Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

95ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

100A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.95V @ 15V, 12A

功率-最大

150W

開關能量

160µJ (on), 120µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

24nC

25°C時的Td(開/關)

18ns/73ns

測試條件

400V, 12A, 22Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

30ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電流-集電極脈沖(Icm)

80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.7V @ 4.5V, 15A

功率-最大

176W

開關能量

-

輸入類型

Logic

門禁費用

49nC

25°C時的Td(開/關)

1.1µs/26.5µs

測試條件

300V, 15A, 5V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

90A

電流-集電極脈沖(Icm)

160A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 35A

功率-最大

400W

開關能量

2.3mJ (on), 1.6mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

300nC

25°C時的Td(開/關)

90ns/340ns

測試條件

600V, 35A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

130ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

24A

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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