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RGS50TSX2HRC11

RGS50TSX2HRC11

僅供參考

型號 RGS50TSX2HRC11
PNEDA編號 RGS50TSX2HRC11
描述 1200V 25A FIELD STOP TRENCH IGBT
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,826
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 15 - 六月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RGS50TSX2HRC11資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RGS50TSX2HRC11
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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RGS50TSX2HRC11規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)50A
電流-集電極脈沖(Icm)75A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 25A
功率-最大395W
開關能量1.4mJ (on), 1.65mJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用67nC
25°C時的Td(開/關)37ns/140ns
測試條件600V, 25A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247N

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40A

電流-集電極脈沖(Icm)

80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 20A

功率-最大

215W

開關能量

95µJ (on), 100µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

68nC

25°C時的Td(開/關)

20ns/115ns

測試條件

390V, 13A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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工作溫度

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安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 30A

功率-最大

250W

開關能量

540µJ (on), 800µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

80nC

25°C時的Td(開/關)

19ns/125ns

測試條件

400V, 30A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1250V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 15A

功率-最大

259W

開關能量

410µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

68nC

25°C時的Td(開/關)

-/106ns

測試條件

600V, 15A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-3P-3, SC-65-3

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

電流-集電極脈沖(Icm)

180A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 45A

功率-最大

300W

開關能量

21mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

150nC

25°C時的Td(開/關)

80ns/400ns

測試條件

960V, 45A, 2.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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120nC

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測試條件

400V, 20A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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