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IRG7CH50UED

IRG7CH50UED

僅供參考

型號 IRG7CH50UED
PNEDA編號 IRG7CH50UED
描述 IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,508
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 31 - 六月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRG7CH50UED資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRG7CH50UED
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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IRG7CH50UED規格

制造商Infineon Technologies
系列*
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電流-集電極脈沖(Icm)-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic-
功率-最大-
開關能量-
輸入類型-
門禁費用-
25°C時的Td(開/關)-
測試條件-
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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當前-集電極(Ic)(最大值)

48A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

Die

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制造商

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系列

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

225A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.42V @ 15V, 75A

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

Die

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Die

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制造商

IXYS

系列

-

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

2500V

當前-集電極(Ic)(最大值)

23A

電流-集電極脈沖(Icm)

105A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.1V @ 15V, 20A

功率-最大

100W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

53nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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制造商

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Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

電流-集電極脈沖(Icm)

100A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 25A

功率-最大

375W

開關能量

600µJ (on), 700µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

100nC

25°C時的Td(開/關)

29ns/130ns

測試條件

600V, 25A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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制造商

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系列

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

90A

電流-集電極脈沖(Icm)

192A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 48A

功率-最大

325W

開關能量

2.9mJ (on), 1.4mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

145nC

25°C時的Td(開/關)

70ns/140ns

測試條件

400V, 48A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

170ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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