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IRG4BC30KDSTRLP

IRG4BC30KDSTRLP

僅供參考

型號 IRG4BC30KDSTRLP
PNEDA編號 IRG4BC30KDSTRLP
描述 IGBT 600V 28A 100W D2PAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 14,256
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 6 - 五月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRG4BC30KDSTRLP資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRG4BC30KDSTRLP
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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IRG4BC30KDSTRLP規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)28A
電流-集電極脈沖(Icm)56A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.7V @ 15V, 16A
功率-最大100W
開關能量600µJ (on), 580µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用67nC
25°C時的Td(開/關)60ns/160ns
測試條件480V, 16A, 23Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)42ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝D2PAK

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430V

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電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 4V, 6A

功率-最大

166.7W

開關能量

-

輸入類型

Logic

門禁費用

15.1nC

25°C時的Td(開/關)

-/3.64µs

測試條件

300V, 1kOhm, 5V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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120A

電流-集電極脈沖(Icm)

180A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.9V @ 15V, 60A

功率-最大

378W

開關能量

1.79mJ (on), 670µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

198nC

25°C時的Td(開/關)

22ns/134ns

測試條件

400V, 60A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

47ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 30A

功率-最大

260W

開關能量

383µJ (on), 293µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

149nC

25°C時的Td(開/關)

37ns/146ns

測試條件

400V, 30A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

53ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

160A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 20A

功率-最大

160W

開關能量

110µJ (on), 230µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

98nC

25°C時的Td(開/關)

27ns/100ns

測試條件

480V, 20A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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