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IRF7379QTRPBF

IRF7379QTRPBF

僅供參考

型號 IRF7379QTRPBF
PNEDA編號 IRF7379QTRPBF
描述 MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,832
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 26 - 五月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7379QTRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7379QTRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
IRF7379QTRPBF, IRF7379QTRPBF數據表 (總頁數: 10, 大小: 234.27 KB)
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IRF7379QTRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.8A, 4.3A
Rds On(Max)@ Id,Vgs45mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs25nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds520pF @ 25V
功率-最大2.5W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

18A (Ta), 84A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.7mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 40µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1300pF @ 25V

功率-最大

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FET類型

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.4A, 4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 7.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.6W

工作溫度

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Surface Mount

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

75mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

600mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V, 20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.3A, 5.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 9.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1958pF @ 10V

功率-最大

1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

300mOhm @ 3A, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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