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IRF7379QTRPBF數據表

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Infineon Technologies
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IRF7379QTRPBF

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N and P-Channel

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.8A, 4.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

520pF @ 25V

功率-最大

2.5W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SO