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IDT70P3307S233RM

IDT70P3307S233RM

僅供參考

型號 IDT70P3307S233RM
PNEDA編號 IDT70P3307S233RM
描述 IC SRAM 18M PARALLEL 576FCBGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 2,754
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 30 - 七月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IDT70P3307S233RM資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IDT70P3307S233RM
類別半導體內存IC內存
數據表
IDT70P3307S233RM, IDT70P3307S233RM數據表 (總頁數: 20, 大小: 617.84 KB)
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IDT70P3307S233RM規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II
內存大小18Mb (1M x 18)
內存接口Parallel
時鐘頻率233MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間7.2ns
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱576-BBGA, FCBGA
供應商設備包裝576-FCBGA (25x25)

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存接口

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時鐘頻率

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電壓-供電

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

2Mb (64K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

4.2ns

電壓-供電

3.15V ~ 3.45V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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時鐘頻率

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時鐘頻率

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