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IDT70P3337S250RM數據表

IDT70P3337S250RM數據表
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IDT, Integrated Device Technology
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IDT70P3337S250RM

IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II

內存大小

9Mb (512K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

250MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

6.3ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

576-BBGA, FCBGA

供應商設備包裝

576-FCBGA (25x25)

IDT70P3337S233RMI

IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II

內存大小

9Mb (512K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

233MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

7.2ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

576-BBGA, FCBGA

供應商設備包裝

576-FCBGA (25x25)

IDT70P3337S233RM

IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II

內存大小

9Mb (512K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

233MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

7.2ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

576-BBGA, FCBGA

供應商設備包裝

576-FCBGA (25x25)

IDT70P3307S250RM

IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II

內存大小

18Mb (1M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

250MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

6.3ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

576-BBGA, FCBGA

供應商設備包裝

576-FCBGA (25x25)

IDT70P3307S233RMI

IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II

內存大小

18Mb (1M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

233MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

7.2ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

576-BBGA, FCBGA

供應商設備包裝

576-FCBGA (25x25)

IDT70P3307S233RM

IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II

內存大小

18Mb (1M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

233MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

7.2ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

576-BBGA, FCBGA

供應商設備包裝

576-FCBGA (25x25)