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HGTP2N120CN

HGTP2N120CN

僅供參考

型號 HGTP2N120CN
PNEDA編號 HGTP2N120CN
描述 IGBT 1200V 13A 104W TO220AB
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,428
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 23 - 七月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HGTP2N120CN資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HGTP2N120CN
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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HGTP2N120CN規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型NPT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)13A
電流-集電極脈沖(Icm)20A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.4V @ 15V, 2.6A
功率-最大104W
開關能量96µJ (on), 355µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用30nC
25°C時的Td(開/關)25ns/205ns
測試條件960V, 2.6A, 51Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220-3

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

183A

電流-集電極脈沖(Icm)

307A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 62A

功率-最大

780W

開關能量

1.354mJ (on), 1.614mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

294nC

25°C時的Td(開/關)

28ns/212ns

測試條件

400V, 62A, 4.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-264-3, TO-264AA

供應商設備包裝

TO-264 [L]

FGD3440G2

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

當前-集電極(Ic)(最大值)

26.9A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.2V @ 4V, 6A

功率-最大

166W

開關能量

-

輸入類型

Logic

門禁費用

24nC

25°C時的Td(開/關)

-/5.3µs

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300V, 6.5A, 1kOhm, 5V

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

31A

電流-集電極脈沖(Icm)

62A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 15A

功率-最大

208W

開關能量

220µJ (on), 340µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

56nC

25°C時的Td(開/關)

34ns/184ns

測試條件

400V, 15A, 22Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

92ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

TO-220AB

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-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 50A

功率-最大

250W

開關能量

4.8mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

200nC

25°C時的Td(開/關)

50ns/200ns

測試條件

480V, 50A, 2.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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