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MTFC4GLVEA-0M WT

MTFC4GLVEA-0M WT MTFC4GLVEA-0M WT

僅供參考

型號 MTFC4GLVEA-0M WT
PNEDA編號 MTFC4GLVEA-0M-WT
描述 IC FLASH 32G MMC 153WFBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 3,438
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 14 - 十二月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MTFC4GLVEA-0M WT資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MTFC4GLVEA-0M WT
類別半導體內存IC內存

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MTFC4GLVEA-0M WT規格

制造商Micron Technology Inc.
系列e•MMC™
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小32Gb (4G x 8)
內存接口MMC
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-25°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱153-WFBGA
供應商設備包裝153-WFBGA (11.5x13)

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

800MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.425V ~ 1.575V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, DDR IIP

內存大小

18Mb (1M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.71V ~ 1.89V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

165-LFBGA (15x17)

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

150ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

2Mb (128K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFBGA

供應商設備包裝

48-FBGA (7x7)

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制造商

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

4ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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