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HGTP12N60A4D

HGTP12N60A4D

僅供參考

型號 HGTP12N60A4D
PNEDA編號 HGTP12N60A4D
描述 IGBT 600V 54A 167W TO220AB
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 11,544
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 10 - 六月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HGTP12N60A4D資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HGTP12N60A4D
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
HGTP12N60A4D, HGTP12N60A4D數據表 (總頁數: 12, 大小: 580.48 KB)
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HGTP12N60A4D規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)54A
電流-集電極脈沖(Icm)96A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.7V @ 15V, 12A
功率-最大167W
開關能量55µJ (on), 50µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用78nC
25°C時的Td(開/關)17ns/96ns
測試條件390V, 12A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)30ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220-3

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電流-集電極脈沖(Icm)

480A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 70A

功率-最大

470W

開關能量

3.15mJ (on), 2.2mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

178nC

25°C時的Td(開/關)

24ns/174ns

測試條件

400V, 50A, 2Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

64ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

IXYS

系列

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1000V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 32A

功率-最大

300W

開關能量

2.6mJ (on), 9.5mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

87nC

25°C時的Td(開/關)

24ns/385ns

測試條件

800V, 32A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

13A

電流-集電極脈沖(Icm)

25A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.9V @ 15V, 3A

功率-最大

50W

開關能量

46.5µJ (on), 23.5µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

12nC

25°C時的Td(開/關)

6.7ns/46ns

測試條件

390V, 3A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

30ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

18A

電流-集電極脈沖(Icm)

50A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 4V, 15A

功率-最大

115W

開關能量

-

輸入類型

Logic

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

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安裝類型

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