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HGTG12N60B3

HGTG12N60B3

僅供參考

型號 HGTG12N60B3
PNEDA編號 HGTG12N60B3
描述 IGBT 600V 27A 104W TO247
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,500
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 19 - 五月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HGTG12N60B3資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HGTG12N60B3
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
HGTG12N60B3, HGTG12N60B3數據表 (總頁數: 8, 大小: 198.54 KB)
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HGTG12N60B3規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)27A
電流-集電極脈沖(Icm)110A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 12A
功率-最大104W
開關能量150µJ (on), 250µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用51nC
25°C時的Td(開/關)26ns/150ns
測試條件480V, 12A, 25Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247-3

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電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.7V @ 15V, 60A

功率-最大

300W

開關能量

16mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

200nC

25°C時的Td(開/關)

50ns/600ns

測試條件

480V, 60A, 2.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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ISOPLUS247™

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IGBT類型

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21A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.6V @ 4V, 6A

功率-最大

150W

開關能量

-

輸入類型

Logic

門禁費用

17nC

25°C時的Td(開/關)

-/4.8µs

測試條件

300V, 1kOhm, 5V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

47A

電流-集電極脈沖(Icm)

54A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.95V @ 15V, 18A

功率-最大

206W

開關能量

95µJ (on), 350µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

35nC

25°C時的Td(開/關)

40ns/105ns

測試條件

400V, 18A, 22Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

100ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247AD

制造商

IXYS

系列

HiPerFAST™

IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

900V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 50A

功率-最大

400W

開關能量

4.7mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

135nC

25°C時的Td(開/關)

20ns/350ns

測試條件

720V, 50A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

200ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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