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H11A817A3SD

H11A817A3SD

僅供參考

型號 H11A817A3SD
PNEDA編號 H11A817A3SD
描述 OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,848
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 30 - 五月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

H11A817A3SD資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號H11A817A3SD
類別半導體隔離器光電隔離器-晶體管,光伏輸出
數據表
H11A817A3SD, H11A817A3SD數據表 (總頁數: 9, 大小: 85.1 KB)
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H11A817A3SD規格

制造商ON Semiconductor
系列-
頻道數1
電壓-隔離5300Vrms
電流傳輸比(最小值)80% @ 5mA
電流傳輸比(最大值)160% @ 5mA
開啟/關閉時間(典型值)-
上升/下降時間(典型值)2.4µs, 2.4µs
輸入類型DC
輸出類型Transistor
電壓-輸出(最大值)70V
電流-輸出/通道50mA
電壓-正向(Vf)(典型值)1.2V
電流-直流正向(If)(最大值)50mA
Vce飽和度(最大值)200mV
工作溫度-55°C ~ 100°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱4-SMD, Gull Wing
供應商設備包裝4-SMD

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開啟/關閉時間(典型值)

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上升/下降時間(典型值)

4µs, 3µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

35V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

60mA

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輸入類型

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電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

50mA

Vce飽和度(最大值)

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電壓-隔離

5000Vrms

電流傳輸比(最小值)

200% @ 1mA

電流傳輸比(最大值)

-

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

100µs, 100µs

輸入類型

AC, DC

輸出類型

Darlington

電壓-輸出(最大值)

40V

電流-輸出/通道

160mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.17V

電流-直流正向(If)(最大值)

80mA

Vce飽和度(最大值)

1V

工作溫度

-55°C ~ 100°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

8-DIP

制造商

CEL

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頻道數

1

電壓-隔離

5000Vrms

電流傳輸比(最小值)

700% @ 1mA

電流傳輸比(最大值)

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開啟/關閉時間(典型值)

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100µs, 100µs

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電壓-輸出(最大值)

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