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H11A4SR2M

H11A4SR2M

僅供參考

型號 H11A4SR2M
PNEDA編號 H11A4SR2M
描述 OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6SMD
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,058
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 29 - 五月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

H11A4SR2M資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號H11A4SR2M
類別半導體隔離器光電隔離器-晶體管,光伏輸出
數據表
H11A4SR2M, H11A4SR2M數據表 (總頁數: 13, 大小: 398.34 KB)
PDFH11A4VM數據表 封面
H11A4VM數據表 頁面 2 H11A4VM數據表 頁面 3 H11A4VM數據表 頁面 4 H11A4VM數據表 頁面 5 H11A4VM數據表 頁面 6 H11A4VM數據表 頁面 7 H11A4VM數據表 頁面 8 H11A4VM數據表 頁面 9 H11A4VM數據表 頁面 10 H11A4VM數據表 頁面 11

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H11A4SR2M規格

制造商ON Semiconductor
系列-
頻道數1
電壓-隔離7500Vpk
電流傳輸比(最小值)10% @ 10mA
電流傳輸比(最大值)-
開啟/關閉時間(典型值)2µs, 2µs
上升/下降時間(典型值)-
輸入類型DC
輸出類型Transistor with Base
電壓-輸出(最大值)30V
電流-輸出/通道-
電壓-正向(Vf)(典型值)1.18V
電流-直流正向(If)(最大值)60mA
Vce飽和度(最大值)400mV
工作溫度-40°C ~ 100°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-SMD, Gull Wing
供應商設備包裝6-SMD

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電流傳輸比(最小值)

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200% @ 5mA

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

3µs, 5µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

80V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.17V

電流-直流正向(If)(最大值)

40mA

Vce飽和度(最大值)

300mV

工作溫度

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電流傳輸比(最小值)

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電流傳輸比(最大值)

-

開啟/關閉時間(典型值)

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上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

Darlington with Base

電壓-輸出(最大值)

25V

電流-輸出/通道

-

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.35V

電流-直流正向(If)(最大值)

100mA

Vce飽和度(最大值)

1V

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上升/下降時間(典型值)

6µs, 8µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

80V

電流-輸出/通道

-

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.65V (Max)

電流-直流正向(If)(最大值)

60mA

Vce飽和度(最大值)

300mV

工作溫度

-55°C ~ 110°C

安裝類型

Surface Mount

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開啟/關閉時間(典型值)

6µs, 5µs

上升/下降時間(典型值)

3µs, 4.7µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

70V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.43V

電流-直流正向(If)(最大值)

60mA

Vce飽和度(最大值)

300mV

工作溫度

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