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FGY75T95SQDT

FGY75T95SQDT

僅供參考

型號 FGY75T95SQDT
PNEDA編號 FGY75T95SQDT
描述 IGBT 950V 75A
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,938
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 24 - 七月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FGY75T95SQDT資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FGY75T95SQDT
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
FGY75T95SQDT, FGY75T95SQDT數據表 (總頁數: 10, 大小: 589.29 KB)
PDFFGY75T95SQDT數據表 封面
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FGY75T95SQDT規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)950V
當前-集電極(Ic)(最大值)150A
電流-集電極脈沖(Icm)300A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.11V @ 15V, 75A
功率-最大434W
開關能量8.8mJ (on), 3.2mJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用137nC
25°C時的Td(開/關)28.8ns/117ns
測試條件600V, 75A, 4.7Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)259ns
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3 Variant
供應商設備包裝TO-247-3

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當前-集電極(Ic)(最大值)

200A

電流-集電極脈沖(Icm)

580A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.1V @ 15V, 75A

功率-最大

1040W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

350nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

1.5µs

工作溫度

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安裝類型

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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開關能量

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輸入類型

Standard

門禁費用

95nC

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測試條件

400V, 20A, 15Ohm, 15V

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

3000V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

電流-集電極脈沖(Icm)

100A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.2V @ 15V, 12A

功率-最大

160W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

62nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

1.4µs

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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系列

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IGBT類型

Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

當前-集電極(Ic)(最大值)

25A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.96V @ 15V, 120A

功率-最大

43W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

65nC

25°C時的Td(開/關)

36ns/112ns

測試條件

196V, 25A, 10Ohm

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3 Full Pack

供應商設備包裝

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制造商

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

3600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

125A

電流-集電極脈沖(Icm)

420A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.9V @ 15V, 50A

功率-最大

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Standard

門禁費用

210nC

25°C時的Td(開/關)

46ns/205ns

測試條件

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反向恢復時間(trr)

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