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FF600R12ME4CB11BOSA1

FF600R12ME4CB11BOSA1

僅供參考

型號 FF600R12ME4CB11BOSA1
PNEDA編號 FF600R12ME4CB11BOSA1
描述 IGBT MODULE VCES 600V 600A
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,020
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 20 - 六月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FF600R12ME4CB11BOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FF600R12ME4CB11BOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
FF600R12ME4CB11BOSA1, FF600R12ME4CB11BOSA1數據表 (總頁數: 9, 大小: 603.16 KB)
PDFFF600R12ME4CPB11BPSA1數據表 封面
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FF600R12ME4CB11BOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置2 Independent
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)1060A
功率-最大4050W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 600A
當前-集電極截止(最大值)3mA
輸入電容(Cies)@ Vce37nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150A

功率-最大

730W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 150A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

23nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

制造商

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IGBT類型

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配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

200A

功率-最大

600W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 120A

當前-集電極截止(最大值)

200µA

輸入電容(Cies)@ Vce

11nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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安裝類型

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配置

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

功率-最大

225W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.1V @ 15V, 35A

當前-集電極截止(最大值)

1.1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

1.65nF @ 25V

輸入

Three Phase Bridge Rectifier

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

Trench Field Stop

配置

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

900A

功率-最大

20mW

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 450A

當前-集電極截止(最大值)

3mA

輸入電容(Cies)@ Vce

36nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

功率-最大

260W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.7V @ 15V, 50A (Typ)

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.6nF @ 25V

輸入

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NTC熱敏電阻

Yes

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