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FDC6301N_G

FDC6301N_G

僅供參考

型號 FDC6301N_G
PNEDA編號 FDC6301N_G
描述 MOSFET 2 N-CH 25V SUPERSOT6
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,938
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 23 - 五月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDC6301N_G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDC6301N_G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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FDC6301N_G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)25V
電流-25°C時的連續漏極(Id)220mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs4Ohm @ 400mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs0.7nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds9.5pF @ 10V
功率-最大700mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝SuperSOT™-6

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

500mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

630mOhm @ 200mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.23nC @ 4V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

46pF @ 10V

功率-最大

200mW

工作溫度

150°C (TJ)

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Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.9A, 2.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

85mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.1W

工作溫度

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Surface Mount

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2 N-Channel (Dual)

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Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

24V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.5W

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.6mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.9V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.1nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

736pF @ 15V

功率-最大

6W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

510mA, 340mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 510mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

20pF @ 25V

功率-最大

700mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

包裝/箱

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