EPC2107ENGRT
僅供參考
| 型號 | EPC2107ENGRT |
| PNEDA編號 | EPC2107ENGRT |
| 描述 | GAN TRANS 3N-CH 100V BUMPED DIE |
| 制造商 | EPC |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 4,140 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 五月 23 - 五月 28 (選擇加急運輸) |
| Guarantee | 可達壹年的[PNEDA-Warranty]* |
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EPC2107ENGRT資源
| 品牌 | EPC |
| ECAD Module |
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| 制造商零件編號 | EPC2107ENGRT |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET，MOSFET-陣列 |
| 數據表 |
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EPC2107ENGRT規格
| 制造商 | EPC |
| 系列 | eGaN® |
| FET類型 | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
| FET功能 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 100V |
| 電流-25°C時的連續漏極（Id） | 1.7A, 500mA |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V |
| Vgs（th）（最大）@ ID | 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
| 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs | 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
| 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds | 16pF @ 50V, 7pF @ 50V |
| 功率-最大 | - |
| 工作溫度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 包裝/箱 | 9-VFBGA |
| 供應商設備包裝 | 9-BGA (1.35x1.35) |
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