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EPC2106

EPC2106

僅供參考

型號 EPC2106
PNEDA編號 EPC2106
描述 GANFET TRANS SYM 100V BUMPED DIE
制造商 EPC
單價 請求報價
庫存 78,744
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 22 - 五月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EPC2106資源

品牌 EPC
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EPC2106
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
EPC2106, EPC2106數據表 (總頁數: 7, 大小: 1,564.58 KB)
PDFEPC2106ENGRT數據表 封面
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EPC2106規格

制造商EPC
系列eGaN®
FET類型2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.7A
Rds On(Max)@ Id,Vgs70mOhm @ 2A, 5V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 600µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs0.73nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds75pF @ 50V
功率-最大-
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱Die
供應商設備包裝Die

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

295mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

51mOhm @ 3.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

19.2mOhm @ 8.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

62nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1945pF @ 10V

功率-最大

3.1W

工作溫度

-50°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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Vgs(th)(最大)@ ID

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