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SI4943CDY-T1-GE3

SI4943CDY-T1-GE3

僅供參考

型號 SI4943CDY-T1-GE3
PNEDA編號 SI4943CDY-T1-GE3
描述 MOSFET 2P-CH 20V 8A 8-SOIC
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 63,804
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 13 - 七月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI4943CDY-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI4943CDY-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI4943CDY-T1-GE3, SI4943CDY-T1-GE3數據表 (總頁數: 9, 大小: 187.97 KB)
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SI4943CDY-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)8A
Rds On(Max)@ Id,Vgs19.2mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs62nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1945pF @ 10V
功率-最大3.1W
工作溫度-50°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.5mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 20µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

20mV @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 98µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 4.5V

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2546pF @ 25V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

5mOhm @ 125A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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