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EDB8132B4PB-8D-F-R TR

EDB8132B4PB-8D-F-R TR

僅供參考

型號 EDB8132B4PB-8D-F-R TR
PNEDA編號 EDB8132B4PB-8D-F-R-TR
描述 IC DRAM 8G PARALLEL 168FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 8,784
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 31 - 六月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EDB8132B4PB-8D-F-R TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EDB8132B4PB-8D-F-R TR
類別半導體內存IC內存
數據表
EDB8132B4PB-8D-F-R TR, EDB8132B4PB-8D-F-R TR數據表 (總頁數: 146, 大小: 1,912.1 KB)
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EDB8132B4PB-8D-F-R TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile LPDDR2
內存大小8Gb (256M x 32)
內存接口Parallel
時鐘頻率400MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.14V ~ 1.95V
工作溫度-30°C ~ 85°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱168-WFBGA
供應商設備包裝168-FBGA (12x12)

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Micron Technology Inc.

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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電壓-供電

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

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內存接口

SPI

時鐘頻率

10MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

36Mb (4M x 9)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

300MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

165-LBGA

供應商設備包裝

165-FBGA (15x17)

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技術

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

52MHz

寫周期-字,頁

85ns

訪問時間

85ns

電壓-供電

1.7V ~ 2V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

64-LBGA

供應商設備包裝

64-EasyBGA (10x13)

STK11C68-SF35I

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制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

35ns

訪問時間

35ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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