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DRC5114E0L

DRC5114E0L

僅供參考

型號 DRC5114E0L
PNEDA編號 DRC5114E0L
描述 TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3
制造商 Panasonic Electronic Components
單價 請求報價
庫存 8,190
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 4 - 六月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DRC5114E0L資源

品牌 Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DRC5114E0L
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

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DRC5114E0L規格

制造商Panasonic Electronic Components
系列-
晶體管類型NPN - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)10 kOhms
電阻-發射極基(R2)10 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce35 @ 5mA, 10V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡-
功率-最大150mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-85
供應商設備包裝SMini3-F2-B

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晶體管類型

PNP - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

22 kOhms

電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

68 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

頻率-過渡

200MHz

功率-最大

300mW

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

NPN - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

22 kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

150mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

47 kOhms

電阻-發射極基(R2)

22 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

56 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

200mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Panasonic Electronic Components

制造商

Panasonic Electronic Components

系列

-

晶體管類型

NPN - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

80mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10 kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

150MHz

功率-最大

125mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SSMini3-F3

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晶體管類型

NPN - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

電阻-基本(R1)

2.2 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

140 @ 100mA, 2V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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功率-最大

150mW

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