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DMTH6010LK3-13

DMTH6010LK3-13

僅供參考

型號 DMTH6010LK3-13
PNEDA編號 DMTH6010LK3-13
描述 MOSFET N-CH 60V 14.8A TO252
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 26,808
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 13 - 十一月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMTH6010LK3-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMTH6010LK3-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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DMTH6010LK3-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)14.8A (Ta), 70A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs41.3nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2090pF @ 30V
FET功能-
功耗(最大值)3.1W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-252, (D-Pak)
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8Ohm @ 720mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

490pF @ 25V

FET功能

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.4mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 58µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

82nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6600pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

115W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

200mA (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

75Ohm @ 100mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.7nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

104pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

33W (Tc)

工作溫度

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4.4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 4.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1079pF @ 10V

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功耗(最大值)

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