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SI3443DVTR

SI3443DVTR

僅供參考

型號 SI3443DVTR
PNEDA編號 SI3443DVTR
描述 MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,750
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 23 - 五月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI3443DVTR資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI3443DVTR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
SI3443DVTR, SI3443DVTR數據表 (總頁數: 7, 大小: 131.38 KB)
PDFSI3443DV數據表 封面
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SI3443DVTR規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.4A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs65mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs15nC @ 4.5V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1079pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)2W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝Micro6™(TSOP-6)
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 70A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

174nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9700pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

577W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

TO-263 (IXTA)

包裝/箱

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Rohm Semiconductor

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-

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25.8mOhm @ 5.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15.2nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1080pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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-

FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

270mOhm @ 4.3A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

490pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

37W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.6mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

625nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

22000pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

6.25W (Ta), 104W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

98mOhm @ 17.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

181nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6640pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

312.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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