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DMN66D0LDW-7

DMN66D0LDW-7

僅供參考

型號 DMN66D0LDW-7
PNEDA編號 DMN66D0LDW-7
描述 MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 3,474
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 3 - 七月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN66D0LDW-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN66D0LDW-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMN66D0LDW-7, DMN66D0LDW-7數據表 (總頁數: 5, 大小: 227.42 KB)
PDFDMN66D0LDW-7數據表 封面
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DMN66D0LDW-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)115mA (Ta)
Rds On(Max)@ Id,Vgs6Ohm @ 115mA, 5V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds23pF @ 25V
功率-最大250mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SOT-363

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 4.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 31A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

70nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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