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JAN2N3501

JAN2N3501 JAN2N3501

僅供參考

型號 JAN2N3501
PNEDA編號 JAN2N3501
描述 TRANS NPN 150V 0.3A
制造商 Microsemi
單價
1 ---------- $2,837.9713
50 ---------- $2,704.9414
100 ---------- $2,571.9115
200 ---------- $2,438.8816
400 ---------- $2,328.0234
500 ---------- $2,217.1651
庫存 4,944
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 30 - 五月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JAN2N3501資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JAN2N3501
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JAN2N3501規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/366
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)300mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)150V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic400mV @ 15mA, 150mA
當前-集電極截止(最大值)10µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 150mA, 10V
功率-最大1W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝TO-39 (TO-205AD)

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40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

2W

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

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5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

450V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 200mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

6 @ 2A, 1V

功率-最大

75W

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工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 1.2mA, 600mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 500mA, 3V

功率-最大

1W

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

800mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

20nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 100mA, 1V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 600mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 600mA, 5V

功率-最大

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