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DMN2013UFX-7

DMN2013UFX-7

僅供參考

型號 DMN2013UFX-7
PNEDA編號 DMN2013UFX-7
描述 MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 2,718
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 23 - 七月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN2013UFX-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN2013UFX-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMN2013UFX-7, DMN2013UFX-7數據表 (總頁數: 6, 大小: 274.61 KB)
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DMN2013UFX-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)10A (Ta)
Rds On(Max)@ Id,Vgs11.5mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs57.4nC @ 8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2607pF @ 10V
功率-最大2.14W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-VFDFN Exposed Pad
供應商設備包裝W-DFN5020-6

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

200mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.8nC @ 10V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

75mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

240pF @ 15V

功率-最大

1.15W

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

857pF @ 25V

功率-最大

2W

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3nC @ 10V

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