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CPH6021-TL-H

CPH6021-TL-H

僅供參考

型號 CPH6021-TL-H
PNEDA編號 CPH6021-TL-H
描述 RF TRANS NPN 12V 10GHZ 6CPH
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,946
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 19 - 五月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CPH6021-TL-H資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CPH6021-TL-H
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
CPH6021-TL-H, CPH6021-TL-H數據表 (總頁數: 12, 大小: 559.52 KB)
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CPH6021-TL-H規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)12V
頻率-過渡10GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)1.2dB @ 1GHz
增益14dB @ 1GHz
功率-最大700mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce60 @ 50mA, 5V
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-74, SOT-457
供應商設備包裝6-CPH

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

增益

11.5dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 20mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

SOT-23

CEN1107 APM

Central Semiconductor Corp

制造商

Central Semiconductor Corp

系列

-

晶體管類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

21V

頻率-過渡

2GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

7dB ~ 9dB

功率-最大

5.3W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 100mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

300mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

55EU

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

5.5V

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz

增益

11dB ~ 13dB

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 1mA, 2.7V

當前-集電極(Ic)(最大值)

16mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-253-4, TO-253AA

供應商設備包裝

SOT-143

NSVF2250WT1G

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

-

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