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BUK961R4-30E,118

BUK961R4-30E,118

僅供參考

型號 BUK961R4-30E,118
PNEDA編號 BUK961R4-30E-118
描述 MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 3,438
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 9 - 七月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BUK961R4-30E資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BUK961R4-30E,118
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
BUK961R4-30E, BUK961R4-30E數據表 (總頁數: 15, 大小: 514.71 KB)
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BUK961R4-30E規格

制造商NXP USA Inc.
系列TrenchMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)120A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.4mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th)(最大)@ ID2.1V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs113nC @ 5V
Vgs(最大)±10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds16150pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)357W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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安裝類型

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80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

148nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4400pF @ 25V

FET功能

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

85mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

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