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BUD42DT4G

BUD42DT4G

僅供參考

型號 BUD42DT4G
PNEDA編號 BUD42DT4G
描述 TRANS NPN 350V 4A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,580
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 1 - 七月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BUD42DT4G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BUD42DT4G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BUD42DT4G, BUD42DT4G數據表 (總頁數: 12, 大小: 185.34 KB)
PDFBUD42DG數據表 封面
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BUD42DT4G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)4A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)350V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1V @ 500mA, 2A
當前-集電極截止(最大值)100µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce10 @ 2A, 5V
功率-最大25W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝DPAK

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.2V @ 375mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 3A, 4V

功率-最大

1.56W

頻率-過渡

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工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 8mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

2mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 1A, 4V

功率-最大

2W

頻率-過渡

-

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制造商

ON Semiconductor

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

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工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.2V @ 375mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

300µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 3A, 4V

功率-最大

40W

頻率-過渡

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工作溫度

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