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BSP32,115

BSP32,115

僅供參考

型號 BSP32,115
PNEDA編號 BSP32-115
描述 TRANS PNP 80V 1A SOT223
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 4,356
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 9 - 六月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSP32資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSP32,115
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BSP32, BSP32數據表 (總頁數: 6, 大小: 118.76 KB)
PDFBSP32數據表 封面
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BSP32規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)80V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce40 @ 100mA, 5V
功率-最大1.3W
頻率-過渡100MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA
供應商設備包裝SC-73

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

220 @ 2mA, 5V

功率-最大

265mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOT-723

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 500mA, 1V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Nexperia

制造商

Nexperia USA Inc.

系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

63 @ 150mA, 2V

功率-最大

420mW

頻率-過渡

180MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

3-PowerUDFN

供應商設備包裝

3-HUSON (2x2)

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制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

90V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3.5V @ 500mA, 50A

當前-集電極截止(最大值)

2mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 25A, 5V

功率-最大

300W

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-204AE

供應商設備包裝

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 2mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 10V

功率-最大

7W

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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