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BR25S128FV-WE2

BR25S128FV-WE2

僅供參考

型號 BR25S128FV-WE2
PNEDA編號 BR25S128FV-WE2
描述 IC EEPROM 128K SPI 20MHZ 8SSOPB
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 26,724
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 30 - 五月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BR25S128FV-WE2資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BR25S128FV-WE2
類別半導體內存IC內存
數據表
BR25S128FV-WE2, BR25S128FV-WE2數據表 (總頁數: 34, 大小: 675.75 KB)
PDFBR25S640FVJ-WE2數據表 封面
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BR25S128FV-WE2規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小128Kb (16K x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率20MHz
寫周期-字,頁5ms
訪問時間-
電壓-供電1.7V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-LSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝8-SSOPB

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

50µs, 3ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

8Mb (1M x 8, 512K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

1.65V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

48-TSOP

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制造商

Winbond Electronics

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SDRAM - DDR3

內存大小

2Gb (128M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

800MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.283V ~ 1.45V

工作溫度

-40°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

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內存大小

256Gb (32G x 8)

內存接口

MMC

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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