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W632GU6MB12I

W632GU6MB12I

僅供參考

型號 W632GU6MB12I
PNEDA編號 W632GU6MB12I
描述 IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ
制造商 Winbond Electronics
單價 請求報價
庫存 4,878
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 22 - 七月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

W632GU6MB12I資源

品牌 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號W632GU6MB12I
類別半導體內存IC內存
數據表
W632GU6MB12I, W632GU6MB12I數據表 (總頁數: 161, 大小: 5,925.37 KB)
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W632GU6MB12I規格

制造商Winbond Electronics
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3
內存大小2Gb (128M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率800MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間20ns
電壓-供電1.283V ~ 1.45V
工作溫度-40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱96-VFBGA
供應商設備包裝96-VFBGA (7.5x13)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

200ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

24-SOIC

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR2

內存大小

1Gb (64M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

400ps

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

84-TFBGA

供應商設備包裝

84-FBGA (8x12.5)

CY7C2665KV18-450BZI

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制造商

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, QDR II+

內存大小

144Mb (4M x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

450MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

SRAM

技術

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內存大小

18Mb (1M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5ns

電壓-供電

2.375V ~ 2.625V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-LQFP

供應商設備包裝

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制造商

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內存類型

Volatile

內存格式

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內存大小

8Kb (1K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

35ns

訪問時間

35ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-55°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

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包裝/箱

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