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BLT70,115

BLT70,115

僅供參考

型號 BLT70,115
PNEDA編號 BLT70-115
描述 RF TRANS NPN 8V 900MHZ SOT223
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 8,190
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 23 - 七月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BLT70資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BLT70,115
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
BLT70, BLT70數據表 (總頁數: 11, 大小: 60.73 KB)
PDFBLT70數據表 封面
BLT70數據表 頁面 2 BLT70數據表 頁面 3 BLT70數據表 頁面 4 BLT70數據表 頁面 5 BLT70數據表 頁面 6 BLT70數據表 頁面 7 BLT70數據表 頁面 8 BLT70數據表 頁面 9 BLT70數據表 頁面 10 BLT70數據表 頁面 11

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BLT70規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)8V
頻率-過渡900MHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大2.1W
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce25 @ 100mA, 4.8V
當前-集電極(Ic)(最大值)250mA
工作溫度175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA
供應商設備包裝SOT-223

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增益

12dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 20mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

增益

13dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 20mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

增益

21dB ~ 10dB

功率-最大

185mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 50mA, 1.5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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噪聲系數(dB Typ @ f)

2.4dB @ 1GHz

增益

-

功率-最大

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

48 @ 10mA, 2V

當前-集電極(Ic)(最大值)

26mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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制造商

NXP USA Inc.

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz

增益

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功率-最大

380mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 15mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

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