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BFP640H6327XTSA1

BFP640H6327XTSA1

僅供參考

型號 BFP640H6327XTSA1
PNEDA編號 BFP640H6327XTSA1
描述 RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ SOT343-4
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 374,970
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 29 - 五月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BFP640H6327XTSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BFP640H6327XTSA1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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BFP640H6327XTSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)4.5V
頻率-過渡40GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
增益12.5dB
功率-最大200mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce110 @ 30mA, 3V
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-82A, SOT-343
供應商設備包裝PG-SOT343-4

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頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

6dB @ 60MHz

增益

15dB

功率-最大

350mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 8mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供應商設備包裝

TO-92-3

制造商

CEL

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晶體管類型

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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增益

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功率-最大

125mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 7mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

65mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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增益

8.3dB

功率-最大

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 50mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Infineon Technologies

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

8GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

增益

19dB

功率-最大

250mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 10mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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